Çekirdek i3-8121u'nun bir mikroskop altında analizi, 10 nm tri'nin sırlarını ortaya çıkarır

Intel'in yeni 10nm Tri-Gate üretim süreci, başlangıçta planlanan lansmanı ile programın iki yıldan fazla süredir geride kaldığı için beklenenden daha fazla direniyor. Araştırmacılar, bazı anahtarlarını açıklığa kavuşturmak için bu işlemle üretilen bir Core i3-8121U'yu cesaretlendirdiler.

Intel'in 10nm Tri-Gate üretim süreci çok iddialı

Core i3-8121U işlemcisinin mikroskobu altında yapılan analiz , Intel'in 10nm Tri-Gate üretim sürecinin, 14'teki mevcut işleme kıyasla transistör yoğunluğunda 2.7 kata kadar bir artış sunduğunu ortaya koydu nm Tri-Gate. Bu büyük ilerleme, kare milimetre başına 100, 8 milyondan az transistörün entegre edilmesine izin verdi, bu da sadece 127 mm² matris boyutunda 12, 8 milyar transistörün bir miktarına dönüştü.

19, 99 Euro için en iyi PS4 oyunları olan Sony PlayStation Hits'teki yazımızı okumanızı öneririz

10nm'deki bu düğüm , minimum geçit adımında 70nm'den 54nm'ye ve minimum metal adımında 52nm'den 36nm'ye azalma ile karakterize edilen üçüncü nesil FinFET teknolojisini kullanır. Bu 10 nm ile Intel, silikon substratın yığın ve ankraj katmanlarına kobalt metalizasyonunu tanıtacak. Kobalt, daha küçük boyutlardaki düşük direnci nedeniyle, katmanlar arasında bir temas malzemesi olarak tungsten ve bakıra iyi bir alternatiftir.

Bu, Intel'in en iddialı üretim sürecidir ve şirkete neden olduğu tüm sorunların ana nedeni olacaktır, ancak yeterli bir olgunluğa ulaşmayı başaramazlarsa çok az hırs kullanacaktır. Umarım Intel bize en iyi işlemcilerini sunmak için ince ayar yapabilecektir.

Techpowerup yazı tipi