Intel'in mram belleği seri üretime hazır

Bir EETimes raporu, Intel'in yüksek hacimli üretim üretimi için hazır olan MRAM'ı (Magnetoresistive Random-Access Memory) gösterir. MRAM, kalıcı bir bellek teknolojisidir, yani güç kaybı olsa bile bilgileri tutabileceği anlamına gelir, bu da bir depolama cihazını standart RAM'den daha yakından andırır.

MRAM, DRAM ve NAND Flash belleklerini değiştirmeyi vaat ediyor

MRAM bellek, gelecekteki DRAM (RAM) belleğin ve NAND flash bellek deposunun yerini alacak şekilde geliştirilmektedir.

MRAM, üretimi çok daha kolay ve üstün performans oranları vaat ediyor. MRAM'ın 1 ns tepki süreleri elde edebildiği, DRAM için şu anda kabul edilen teorik sınırlardan daha iyi olduğu ve NAND flash teknolojisine kıyasla çok daha yüksek yazma hızlarının (binlerce kata kadar daha hızlı) gösterilmiş olması, bu tür belleğin bu kadar önemli olmasının nedenleri.

10 yıla kadar bilgi tutabilir ve 200 dereceye kadar dayanabilir

Mevcut özelliklerle MRAM, 125 santigrat derecede 10 yıllık veri saklama ve yüksek derecede direnç sağlar. Yüksek dirence ek olarak, entegre 22nm MRAM teknolojisinin, nispeten yeni bir teknoloji için şaşırtıcı bir başarı olan% 99, 9'un üzerinde bir bit oranına sahip olduğu bildirildi.

Intel'in bu anıların üretimi için neden 22nm'lik bir işlem kullandığı tam olarak bilinmemektedir, ancak CPU işlemcileri tarafından kullanılan 14nm'de üretimi doyurmak değil. PC hafızası için bu hafızayı görene kadar ne kadar beklemek zorunda kalacağımızı da yorumlamadılar.

Techpowerup yazı tipi